半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。