N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。