“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。