雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。