問(wèn)答題什么是擴(kuò)散工藝？
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1.問(wèn)答題什么是雜質(zhì)分凝效應(yīng)和分凝系數(shù)？
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3.問(wèn)答題注入離子在耙內(nèi)的能量損失的過(guò)程？
4.問(wèn)答題半導(dǎo)體工藝技術(shù)的主要摻雜工藝包括哪兩種？
5.問(wèn)答題雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散方式有哪些？
最新試題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題