氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。