MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。