判斷題法拉第電磁感應(yīng)定律表明，線圈內(nèi)磁通變化的速率越大則感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)越小。
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3.單項(xiàng)選擇題載流導(dǎo)體在磁場(chǎng)中所受到磁場(chǎng)力的方向由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
4.單項(xiàng)選擇題直導(dǎo)體切割磁力線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的方向可由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
5.單項(xiàng)選擇題電流所產(chǎn)生磁場(chǎng)的方向按（）確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題