名詞解釋飽和蒸氣壓
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最新試題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:問答題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:問答題
在晶體材料中,對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型:多項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題