理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。