問答題
硅pn結(jié)的雜質(zhì)濃度分別為ND=3×1017cm-3，NA=1×1015cm-3，n區(qū)和p區(qū)的寬度大于少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度，τn=τp=1μs，結(jié)面積=1600μm2，取Dn=25cm2/s，Dp=13cm2/s，計(jì)算
（1）在T=300K下，正向電流等于1mA時(shí)的外加電壓；
（2）要使電流從1mA增大到3mA，外加電壓應(yīng)增大多少？
（3）維持（1）的電壓不變，當(dāng)溫度 T由300K上升到400K時(shí)，電流上升到多少？
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雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題