第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。