問(wèn)答題簡(jiǎn)述鋁的結(jié)穿刺現(xiàn)象及解決方法。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述鋁互連的優(yōu)缺點(diǎn)。
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3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電鍍的優(yōu)缺點(diǎn)。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述濺射的優(yōu)缺點(diǎn)。
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最新試題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:?jiǎn)柎痤}
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱(chēng)為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:?jiǎn)柎痤}
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項(xiàng)選擇題