MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。