根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？