判斷題有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴(kuò)散區(qū)。
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由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
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MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
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說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
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從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
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晶體管的名字取自于()和()兩詞。
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材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題