MOS管閾值電壓的單位是eV。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。