N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

（）是最早實現提純和完美晶體生長的半導體材料。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。