氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。