單項選擇題把一方波變成雙向尖脈沖的網(wǎng)絡稱為（）
A.衰減器
B.濾波器
C.積分器
D.微分器
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1.單項選擇題微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的，二者區(qū)別是（）
A.C的容量不同
B.R的阻值不同
C.R、C時間常數(shù)不同
D.起的作用不同
2.單項選擇題在多級放大器中，放大器的帶寬與級數(shù)成（）關(guān)系。
A.正比
B.反比
C.恒定
3.單項選擇題NPN管飽和條件是（）
A.Ib足夠大
B.Ic足夠大
C.Ic=Ec/Rc，Vbe＝0.7V
D.Ic=Ec/Rc，Vbe＝0.3V
4.單項選擇題在電路調(diào)試過程中，解決截止失真的主要措施是（）
A.提高工作點
B.降低工作點
C.改變RC
D.提高Ec
5.單項選擇題城堡型器件的焊接應符合標準要求，底部焊料填充厚度，應為（）
A.0.1mm～0.4mm
B.0.1mm～0.3mm
C.0.2mm～0.4mm
D.0.2mm～0.5mm
最新試題
再流焊爐內(nèi)的基本溫度區(qū)域不包括（）
題型：單項選擇題
元器件貼裝可選用手工貼裝或設備貼裝，貼裝時應保證焊端至少（）覆蓋焊盤。
題型：單項選擇題
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的，二者區(qū)別是（）
題型：單項選擇題
手工焊接MOS集成電路時先焊接（），后焊接（）
題型：單項選擇題
使用錫鍋對導線芯線進行搪錫時溫度為（），時間為1s~2s，使用電烙鐵搪錫時溫度為（）搪錫時間不大于3s。
題型：單項選擇題
元器件若安裝在裸露電路之上，引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有（）的間隙，但最大距離一般不應超過（）
題型：單項選擇題
NPN管飽和條件是（）
題型：單項選擇題
整件的裝配應與（）一致。
題型：單項選擇題
再流焊設備內(nèi)部溫度均勻性應良好，橫向溫差應不超過（），爐內(nèi)溫度的控制精度應在（）以內(nèi)。
題型：單項選擇題
元器件引線無論采取手工或機械成形，若有明顯的刻痕或形變超過引線直徑的（）則元器件不應使用。
題型：單項選擇題