單項選擇題再流焊爐內(nèi)的基本溫度區(qū)域不包括（）
A.烘干區(qū)
B.預熱區(qū)
C.再流焊區(qū)
D.冷卻區(qū)
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1.單項選擇題在制作線扎時，當線扎直徑小于8mm時，綁扎間距一般為（）
A.10~15mm
B.15~25mm
C.25~40mm
D.40~60mm
2.單項選擇題波峰焊機焊槽內(nèi)的溫度應控制在（）范圍，焊接時間為（）
A.260±10℃；3~3.5s
B.250±5℃；2s
C.250±5℃；3~3.5s
D.260~300℃；3~3.5s
3.單項選擇題元器件安裝時，一般情況下金屬體元器件、裸線或其它金屬零件之間的間距至少應有（）安全間隙。
A.0.75mm
B.1mm
C.1.6mm
D.2mm
4.單項選擇題元器件引線無論采取手工或機械成形，若有明顯的刻痕或形變超過引線直徑的（）則元器件不應使用。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
5.單項選擇題關于鍍金引線搪錫描述錯誤的是（）
A.鍍金層小于2.5μm可進行一次搪錫處理，否則應進行二次搪錫處理
B.鍍金引線使用錫鍋搪錫時，應使用不同錫鍋進行，第一次搪錫的錫鍋只能用于鍍金引線的搪錫且應經(jīng)常更換焊錫
C.鍍金引線、導線、各種接線端子的焊接部位不允許未經(jīng)除金處理直接焊接
D.鍍金引線鍍金時應將所有引線部位搪錫或二次搪錫處理
最新試題
對元器件引線的氧化層去除，下述描述錯誤的是（）
題型：單項選擇題
電子元器件搪錫前應使用（）校直元器件引線，引線校直時不能有夾痕，引線表面應無損傷。
題型：單項選擇題
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的，二者區(qū)別是（）
題型：單項選擇題
把一方波變成雙向尖脈沖的網(wǎng)絡稱為（）
題型：單項選擇題
導線、引線與接線端子焊接時，直徑不小于0.3的導線、引線在接線端子應纏繞最少3/4圈，但不能超過（）；直徑小于0.3的導線，引線最多可繞（）
題型：單項選擇題
J型引線器件的焊接，引線搭焊在焊盤上的長度，應不小于（）
題型：單項選擇題
無極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時，其搪錫溫度為（）；采用錫鍋搪錫時，其搪錫溫度為（）
題型：單項選擇題
單面伸出的非軸向引線元器件的安裝地面與印制板表面之間的最小為（），最大值為（）
題型：單項選擇題
手工焊接MOS集成電路時先焊接（），后焊接（）
題型：單項選擇題
再流焊設備內(nèi)部溫度均勻性應良好，橫向溫差應不超過（），爐內(nèi)溫度的控制精度應在（）以內(nèi)。
題型：單項選擇題