A.10~15mm
B.15~25mm
C.25~40mm
D.40~60mm
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A.260±10℃；3~3.5s
B.250±5℃；2s
C.250±5℃；3~3.5s
D.260~300℃；3~3.5s
A.0.75mm
B.1mm
C.1.6mm
D.2mm
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.鍍金層小于2.5μm可進(jìn)行一次搪錫處理，否則應(yīng)進(jìn)行二次搪錫處理
B.鍍金引線(xiàn)使用錫鍋搪錫時(shí)，應(yīng)使用不同錫鍋進(jìn)行，第一次搪錫的錫鍋只能用于鍍金引線(xiàn)的搪錫且應(yīng)經(jīng)常更換焊錫
C.鍍金引線(xiàn)、導(dǎo)線(xiàn)、各種接線(xiàn)端子的焊接部位不允許未經(jīng)除金處理直接焊接
D.鍍金引線(xiàn)鍍金時(shí)應(yīng)將所有引線(xiàn)部位搪錫或二次搪錫處理
A.去除氧化層操作時(shí)應(yīng)防止電子元器件引線(xiàn)根部受損
B.可以使用W14-W28號(hào)金相砂紙單方向輕砂引線(xiàn)表面，直至去除氧化層，但不可將引線(xiàn)上的鍍層去除
C.距引線(xiàn)根部2mm~5mm的位置不進(jìn)行去除氧化層操作
D.元器件引線(xiàn)氧化層去除后4h內(nèi)要搪錫完畢
最新試題
把一方波變成雙向尖脈沖的網(wǎng)絡(luò)稱(chēng)為（）
下列元器件中屬于裝配后噴涂困難，在裝配前就應(yīng)進(jìn)行防護(hù)涂敷預(yù)處理的有（）
下列哪一項(xiàng)不屬于導(dǎo)線(xiàn)整機(jī)布線(xiàn)應(yīng)遵循的要求（）
對(duì)元器件引線(xiàn)的氧化層去除，下述描述錯(cuò)誤的是（）
元器件引線(xiàn)無(wú)論采取手工或機(jī)械成形，若有明顯的刻痕或形變超過(guò)引線(xiàn)直徑的（）則元器件不應(yīng)使用。
晶體管電路中，電流分配公式是（）
元器件安裝時(shí)，一般情況下金屬體元器件、裸線(xiàn)或其它金屬零件之間的間距至少應(yīng)有（）安全間隙。
使用錫鍋對(duì)導(dǎo)線(xiàn)芯線(xiàn)進(jìn)行搪錫時(shí)溫度為（），時(shí)間為1s~2s，使用電烙鐵搪錫時(shí)溫度為（）搪錫時(shí)間不大于3s。
在制作線(xiàn)扎時(shí)，當(dāng)線(xiàn)扎直徑小于8mm時(shí)，綁扎間距一般為（）
扁平、帶狀、L型、翼形、圓形、扁圓形引線(xiàn)器件的焊接，引線(xiàn)根部（腳跟）距內(nèi)側(cè)焊盤(pán)邊緣的距離，應(yīng)不小于（）