A、三極管靜態(tài)時(shí)的電壓
B、三極管靜態(tài)時(shí)的電流
C、三極管靜態(tài)時(shí)的電壓和電流
D、三極管靜態(tài)時(shí)的功率
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A、大
B、小
C、接近無(wú)窮大
D、接近信號(hào)源內(nèi)阻
A、正、負(fù)
B、負(fù)、正
C、負(fù)、負(fù)
D、正、正
A、3.2mv
B、32mv
C、0.32mv
D、32μv
A、電阻檔
B、電流檔
C、空檔或高壓檔
D、無(wú)要求
A、外接法誤差小
B、內(nèi)接法誤差小
C、外接法與內(nèi)接法一樣大
D、無(wú)法確定
最新試題
J型引線器件的焊接,引線底部焊料填充高度,應(yīng)不大于()
扁平、帶狀、L型、翼形、圓形、扁圓形引線器件的焊接,引線根部(腳跟)距內(nèi)側(cè)焊盤邊緣的距離,應(yīng)不小于()
在多級(jí)放大器中,放大器的帶寬與級(jí)數(shù)成()關(guān)系。
使用錫鍋對(duì)導(dǎo)線芯線進(jìn)行搪錫時(shí)溫度為(),時(shí)間為1s~2s,使用電烙鐵搪錫時(shí)溫度為()搪錫時(shí)間不大于3s。
城堡型器件的焊接應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)要求,底部焊料填充厚度,應(yīng)為()
元器件若安裝在裸露電路之上,引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有()的間隙,但最大距離一般不應(yīng)超過(guò)()
對(duì)元器件引線的氧化層去除,下述描述錯(cuò)誤的是()
單面伸出的非軸向引線元器件的安裝地面與印制板表面之間的最小為(),最大值為()
手工焊接MOS集成電路時(shí)先焊接(),后焊接()
電子元器件搪錫前應(yīng)使用()校直元器件引線,引線校直時(shí)不能有夾痕,引線表面應(yīng)無(wú)損傷。