問(wèn)答題GaAs成為繼Si之后重要半導(dǎo)體材料的重要特征有哪些？
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1.問(wèn)答題
詳細(xì)說(shuō)明三溫區(qū)橫拉法中溫度選擇的依據(jù)。
2.問(wèn)答題作為間接帯隙材料GaP為什么能成為可見(jiàn)光LED的主要材料？
最新試題
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題