MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。