處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。