MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。